Nome

DIMM SDRAM DDR2 é o acrônimo de Dual In-line Memory Module, Syncronous Dynamic Random Acess Memory, Double Data Rate 2. Dual In-line Memory Module significa que os módulos fazem contatos pelos seus dois lados, em contraste aos antigos módulos SIMM (Single In-line Memory Module). Syncronous Dynamic Random Acess Memory significa que a memória possui acesso aleatório síncrono e dinâmico. O termo sincronia é utilizado para indicar que a memória e processador possuem clocks coincidentes, o que fez aumentar o desempenho em comparação com a antiga tecnologia EDO em 25%. O termo dinâmica é uma referência à estrutura dos chips, que são formados por uma matriz de capacitores que precisam ser recarregados constantemente. Double Data Rate significa que o tráfego é de dois dados por pulso de clock. O número 2 simboliza o conjunto de melhorias do novo padrão.

Visão Geral

Formato e alimentação dos módulos

Nota-se que o novo padrão não é compatível com o antigo DDR, tanto em pinagem, quanto em posição dos chanfros e alimentação elétrica.

Clocks (freqüência)

O clock real dos novos chips são a metade do clock real dos seus módulos. Exemplificando: uma memória DDR2 400 possui clock real 200Mhz, e seus chips possuem clock real de 100Mhz. Porém tanto memórias quanto chips possuem clock efetivo (nominal) de 400Mhz.

Várias confusões se devem à leitura de notícias antigas e especulações anteriores ao lançamento das mesmas, e ao fato dos chips enviarem aos buffers de saída da memória 4 dados à metade do clock real dos módulos. Porém os módulos continuam sendo DDR, o que fica bastante claro quando percebemos que as taxas de transmissão máxima teórica se mantém. Uma DDR e uma DDR2 possuem taxa de transmissão máxima e teórica de 3.2Gbps.

Os primeiros modelos lançados foram:

• DDR2-400 (com chips operando a 100 MHz)
• DDR2-533 (com chips operando a 133 MHz)
• DDR2-667 (com chips operando a 166 MHz)
• DDR2-800 (com chips operando a 200 MHz)

Apesar dos benefícios, os ciclos adicionais de clock trazem em contrapartida latências maiores, um problema muito difícil de ser contornado, sendo um dos principais argumentos de especialistas para aguardar a transição rápida para as DDR3. Por conta desta dicotomia entre clock dos chips e dos módulos, hoje é possível construir memórias cada vez mais rápidas, devendo somar a esta vantagem outros fatores, como o ODT.

On-Die-Termination ( ODT - Terminação resistiva )

Ao contrário das DDR clássicas, no qual a terminação resistiva se localizava na placa mãe, nas DDR2 o ODT está presente no próprio módulo, diminuindo assim a interferência eletromagnética. Esta é uma das características que permitem um desempenho maior desse modelo.

Bancos de memória

Os novos chips possuem mais subdivisões internas (banks, que não devem ser confundido com outras definições de banco de memória). Agora são 4 ou 8 bancos, diferente do antigo padrão que possuía apenas 2 ou 4.

A subdivisão de chips é muito importante para a utilização de um técnica chamada Bank Interleave. Como usamos memórias dinâmicas que precisam ser recarregadas constantemente, durante o processo de recarga a memória não pode ser acessada. Ao utilizarmos esta técnica quando acessamos um banco (uma fração de chips), os outros bancos são recarregados (as outras frações dos chips), minimizando assim a possibilidade de acesso a um banco que esteja em processo de recarga.

Mecanismo de busca

A DDR2 possui um pre-fetch de 4 bits, o dobro da DDR clássica.

Encapsulamento

DDR2 usam BGA (Ball Grid Array), enquanto DDR utilizam, em geral, TSOP (Thin Small-Outline Package). Apesar disso, a DDR2 é apontada como o novo padrão para as futuras memórias RAM, por conservar o custo benefício das antigas memórias DDR. Contudo, as novas memórias XDR da Rambus prometem muita performance.